Логотип Интелтим - электротехническое оборудование и оборудование для автоматизации
Обратный звонок

Время работы:
пн.-чт. с 9:00 до 18:00
пт. с 9:00 до 17:00

Предохранители сверхбыстрые

В случае использования защиты полупроводников предохранителями, важно отметить использование именно сверхбыстрых предохранителей, а не обычных - промышленных. Т.к. время срабатывания свербыстрых предохранителей - 10мс при 5-6 кратном значении In, а диапазон выхода из строя тиристора >10 x In (за 10мс). Параметры срабатывания обычных предохранителей 15-30 x In за 10мс. Предохранители "UQ" являются наиболее надежным способом защиты полупроводниковых компонентов от взрыва (взрыв самого полупроводника (IGBT) влияет и на другие компоненты, так как газы, возникающие при взрыве, оседают на чувствительных элементах). Критерием выбора типа предохранителя является легкий или тяжелый запуск механизмов в которых используются защищаемые полупроводники. В случае легкого запуска - рекомендуется использование предохранителей цилиндрического или ножевого типа. В случае тяжелого запуска - ножевые или устаналиваемые на шину.

Отличия сверхбыстрых предохранителей "ULTRA QUICK" от обычных промышленных предохранителей:

  • предохранители "UQ" имеют более низкие значения I²t (интеграл Джоуля);
  • более высокие характеристики рассеиваемой мощности;
  • более высокие токоограничивающие характеристики;
  • низкие потери мощности;
  • высокая отключающая способность - до 200 кА;
  • высокая скорость срабатывания.

Особенности сверхбыстрых предохранителей ULTRA QUICK:

  • использование серебра в качестве материала для изготовления плавкого элемента предохранителя обеспечивает наиболее долгий срок службы (по сравнению с другими материалами) как в беспрерывном режиме работы, так и при циклических нагрузках и перегрузках. Также серебро обеспечивает наиболее точные и быстрые характеристики срабатывая предохранителя;
  • Верхняя и нижняя крышки изготавливаются из латуни покрытой никелем, что улучшает термические характеристики предохранителя;
  • корпус предохранителей изготавливается из алюмосиликатной керамики (тип С610), обладающей высокой прочностью, теплопроводностью, и термоустойчивостью;
  • Нож предохранителя выполнен из меди покрытой серебром, что уменьшает переходное сопротивление и значительно снижает потери мощности;
  • использование кварцевого песка со специальным стеклонаполнителем, позволяет еще больше увеличить теплоотдачу, токоограничение, способность гашения дуги и повысить значение отключающей способности.

Выбор предохранителей для защиты полупроводниковых устройств:

A: Ток нагрузки, проходящий через полупроводниковое устройство (Isem) должен быть ниже или равен номинальному току выбранной плавкой вставки (Inv). Предохранители, защищающие полупроводниковые устройства, выдерживают этот ток длительное время. (При пульсирующем токе проконсультируйтесь с представительством ETI).
Isem ≤ Inv

B: Рабочее напряжение полупроводника (Usem) дожно быть ниже или равно номинальному напряжению плавкой вставки (Unv).
Usem ≤ Unv

C: Рабочие значения I2t (максимальная энергия) выбранного предохранителя (I2topv) должны быть ниже чем I2t
полупроводника (I2tsem). По вопросам параллельной работы, селективности и избирательности при высоких уровнях к.з.
проконсультируйтесь с представительством ETI.
I2topv < I2tsem

D: Максимальный ожидаемый ток К.З., который может появиться в электрической цепи, должен быть меньше номинальной отключающей способности плавкой вставки. В то же время, ток К.З., ограниченный предохранителем, должен быть меньше ударного тока полупроводника (ITSM) в открытом состоянии.
I2sem dt = (ITSM)2T/2
Ik< ITSM

Е: Напряжение отключения (напряжение дуги UL) плавкой вставки должно быть меньше повторяющегося импульсного
напряжения полупроводника (UDRM) в закрытом состоянии.
URRM > UL , UDRM > UL
где URRM - повторяющееся импульсное обратное напряжение и UDRM - повторяющееся импульсное напряжение полупроводника в закрытом состоянии.